在掃描電鏡（SEM）成像中，樣品表面的充電效應可能導致圖像的失真和噪音。以下是一些減少或校正樣品表面充電效應的常見方法：

導電涂層： 在樣品表面涂覆導電性良好的薄層是常見的減少充電效應的方法。常見的導電涂層材料包括金屬（如金或鉑）或導電碳。這種涂層有助于在樣品表面形成導電路徑，減少表面電荷的積累。

金屬導電膠： 使用金屬導電膠連接樣品和支撐基底，以確保電荷可以流動。這種方法適用于一些不適合涂覆導電薄層的樣品。

樣品處理： 有時，通過在真空中或惰性氣氛中處理樣品，可以減少樣品表面的氧化和電荷積累。這種方法要求使用者在實驗室環境中謹慎操作，以避免樣品受到污染。

低電子能量： 使用低電子能量進行成像可以減少電子束與樣品之間的相互作用，從而減少表面充電效應的影響。然而，這可能會降低圖像的分辨率。

場發射電鏡： 堆積電荷問題在場發射電鏡中較少，因為它使用的是場發射電子而不是落在樣品表面的電子束。

電子束抑制器： 一些先進的掃描電鏡設備配備了電子束抑制器，可以通過向樣品表面施加反電場來抑制電子束的影響，減輕充電效應。

ZEM18臺式掃描電鏡

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